Постоянные ЗУ предназначены для хранения постоянной информа­ции: подпрограмм, констант и т.п. Такие ЗУ работают только в режиме многократного считывания . По способу программирования , т.е. занесе-

*-

ния информации , ПЗУ разделяют на масочные ( заказные ), програм­мируемые пользователем ( ППЗУ ) и репрограммируемые ( РПЗУ ) . Пер­вые две разновидности ПЗУ программируют однократно , и они не допускают последующего изменения занесенной информации . По уст­ройству накопителя ПЗУ существенно отличаются от ОЗУ, прежде все­го тем , что место элементов памяти в накопителе ПЗУ занимают пере­мычки между шинами в виде пленочных проводников , диодов или транзисторов . Наличие перемычки соответствует 1 , ее отсутствие - 0 , либо наоборот , если выходы инверсные .

Репрограммирувмте        ПЗУ                                   дооуокагох     пводпократттое

своего содержимого . Перепрограммирование производят с помощью специально предусмотренных в структуре РПЗУ функциональных узлов . Элементом памяти в РПЗУ является полевой транзистор со структурой МНОП или МОП с плавающим затвором , нередко называемый МОП транзистором с лавинной инжекцией заряда . Здесь будет уместным на­помнить о том, что эти транзисторы под воздействием программирующего напряжения способны запасать электрический заряд под затвором и сохра­нять его там много тысяч часов без напряжения питания . Указанный заряд изменяет пороговое напряжение транзистора: оно становится меньше того значения которое имеет транзистор без заряда под затвором . На этом свой­стве и основана возможность программирования матрицы РПЗУ . Однако время программирования довольно значительное, что делает практически невозможным использование РПЗУ в качестве ОЗУ ,

Для перепрограммирования такого ПЗУ необходимо предварительно стереть имеющуюся информацию .Эту операцию осуществляют по-разному : в РПЗУ на МНОП транзисторах стирание производит электрический сиг­нал, который вытесняет накопленный под затвором заряд : в РПЗУ на ЛИЗ-МОП транзисторах эту функцию выполняет ультрафиолетовое излучение, которое облучает кристалл через специально предусмотренное в корпусе ок­но.

Основные функциональные характеристики микросхем памяти - ин­формационная емкость , разрядность , быстродействие , потребляемая мощ­ность .

Т/Г Т

щихся в накопителе единиц информации - бит. Для характеристики ин­формационной емкости нередко используют более крупные единицы : байт , Кбайт .

Разрядность определяется количеством двоичных символов , т.е. разрядов , в запоминаемом слове . Под "словом " понимается совокуп­ность нулей и единиц .

Разрядность кода адреса т и информационная емкость М микро­схемы памяти связаны соотношением : М = 2й • • Многие микросхемы памяти имеют по несколько входов и выходов и позволяют записывать и считывать информацию словами . Совокупность элементов памяти в накопителе , в которых размещается слово , называют ячейкой памяти . Число элементов памяти в ячейке памяти определяется числом входов ( выходов ) . Каждая ячейка памяти имеет свой адрес и для обращения к ней необходимо на адресные входы микросхемы подать код адреса этой ячейки памяти . Информационная емкость микросхемы со словар­ной организацией равна 2" х N , где N -разрядность ячейки памяти .

Быстродействие количественно характеризуется несколькими вре­менными параметрами , среди которых можно выделить в качестве обобщающего параметра время цикла записи ( считывания ), отсчиты­ваемое от момента поступления кода адреса до завершения всех про­цессов в ИС при записи ( считывании ) информации . В статических ОЗУ время цикла считывания практически равно времени выборки ад­реса , которое определяется задержкой выходного сигнала относительно момента поступления кода адреса . В динамических ОЗУ время цикла считывания больше времени выборки адреса , так как после заверше­ния считывания необходимо некоторое время на установление функ­циональных узлов в исходное состояние .

Динамические параметры характеризуют временные процессы в микросхемах памяти при записи , считывании , регенерации , програм­мирования . В систему динамических параметров включают длительность сигналов и пауз между ними , взаимный сдвиг между сигналами во

времени, который необходим для устойчивой работы микросхем .

Все многообразие этих параметров можно систематизировать , объ­единив их следующие группы : параметры характеризующие длитель­ность сигналов ; параметры характеризующие взаимный сдвиг сигналов во времени : время установления одного сигнала относительно другого , время удержания одного сигнала относительно другого , время сохра­нения одного сигнала после другого . Время установления - определяет­ся , как интервал времени между началами двух сигналов на разных входах микросхемы . Время удержания - определяется , как интервал времени между началом одного и окончанием другого сигнала на раз­ных входах микросхемы . Время сохранения - определяется , как интер­вал времени между окончаниями двух сигналов на разных входах мик­росхемы . Время цикла - интервал времени между началами ( окончания­ми ) сигналов на адресных или из управляющих входов , в течении ко­торого микросхема выполняет функцию записи или считывания . Время выборки - интервал времени между подачей на вход микросхемы задан­ного сигнала, например сигналов адреса, и получением на выходе счи­тываемых данных.

Потребляемая мощность может существенно различаться при хране­нии и при обращении , поэтому в таких случаях приводят два значе­ния этого параметра .

4.3.3. Выбор микросхем памяти

Память определяют , как функциональную часть ЭВМ , предназна­ченную для записи , хранения и выдачи команд и обрабатываемых данных. Комплекс технических средств , реализующих функцию памяти , называют запоминающим устройством .

Для обеспечения работы микропроцессора необходима программа , т.е. последовательность команд и данные над которыми процессор про­изводит предписываемые командами операции . Основная память состо­ит из ЗУ двух видов ОЗУ и ПЗУ .

ОМЭВМ  КР1816ВЕ51 может использовать до 64 Кбайт внешней посто­янной или перепрограммируемой памяти программ . Для постоянного хране­ния информации, необходимой для работы процессорного модуля требу­ется немногим менее 8 Кбайт . Чтобы сохранялась возможность самостоя­тельного   программирования   и внесения   изменений в содержимое по­стоянной памяти посредством перепрограммирования, нужно выбирать микросхему РПЗУ.

Выпускаемые ИС РПЗУ принято разделять на два класса по спосо­бу программирования: ИС с режимом записи и стирания электриче­скими сигналами и ИС с записью электрическими сигналами и стира­нием ультрафиолетовым излучением.

Основные требования предъявляемые к ПЗУ процессорного блока: РПЗУ УФ, емкость 8 Кбайт, 8 разрядов, напряжение питания 5В, ми­нимальное время считывания.

Таблица 4.1. Основные параметры   микросхем серии К573